山锐金属化聚丙烯膜抗干扰电容器CL21-B
基本参数
- 产品特性
- 高阻抗。良好的可焊性。无感式结构和具有自愈性。塑料外壳，阻燃环氧填充。
- 应用领域
- 旁路、隔直、耦合、退耦。脉冲、逻辑、定时、振荡电路。低电压场合抗干扰。远程通讯、数据处理、工业仪表、自动控制系统的设备中广泛运用。
- 参考标准
- GB7335-87(China)IEC60384-1，GB7332-87
- 温度范围
- -55℃~+120℃
- 电容量范围
- 0.001μF~10μF
- 电容量偏差范围
- J(±5%),K(±10%),M（±20%）
- 电介质
- 聚丙膜
- 损耗角正切
- KHzC≤1μF＞1μF,1≤1.0%≤1.0%,10≤1.5%≤1.5%,50≤2.2%≤2.5%
- 绝缘电阻，在引出端之间
- 50VDCForUr≤100VDC100VDCForUr＞100VDC,50VDC：C≤0.33μF≥7500MΩ＞0.33μF≥1250MΩ·S,100VDC：C≤0.33μF≥10000MΩ＞0.33μF≥5000MΩ·S
- 耐电压
- 2UR(10S)
- 寿命试验
- 120±2℃，1.25UR，1,000Hours,电容变化率：初始值的≤±5%,损耗角正切≤原测量值的C≤1μF≤5%（10KHz）
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