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创格电子IGBT吸收保护电容器MKPH-1
创格电子IGBT吸收保护电容器MKPH-1
基本参数
- 电容单位(μF)
- 0.015
- 外形及尺寸W(mm)
- 26
- 外形及尺寸T(mm)
- 7.5
- 外形及尺寸H(mm)
- 16.5
- 外形及尺寸P(mm)
- 22
- 外形及尺寸Irms(A)
- 5
- 使用温度
- 40/105/21
- 容量范围
- 0.01~0.068μF
- 容量偏差
- ±5%
- 损耗角
- ≤0.0007(at 10kHz)
- 绝缘电阻
- CxRs≥5000S
- 脉冲能力
- dv/dt>700V/μs
- 阻燃性
- UL94V-0
- 耐电压
- 3000VDC/10S
- 引用标准
- GB/T17702-IEC61071
- 产品特性
- 金属化聚丙烯薄膜卷绕而成,无感结构,阻燃塑料外壳封装。具有稳定性好、损耗小、自愈性好、频率特性好的特点
- 应用领域
- 主要用于吸收IGBT开关所产生的尖峰电压,保护IGBT可靠运行
创格电子品牌介绍
- 联系电话:0757-28399722
- 官方网站:点此进入
- 联系地址:广东佛山市顺德区容桂高新技术产业开发区综合园新有东路7号
- 电子邮件:cge@cgegd.com
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